双向可控硅（Bilateral Thyristor，简称BRT）是一种 特殊的半导体器件，主要应用于交流电路中。它的结构类似于普通的可控硅，由四层P-N-P-N结构组成，但与普通可控硅不同的是，双向可控硅可以同时支持正向和反向的电压及电流，并且可以被双向触发。它具有低电压降、响应快等优点。
双向可控硅的主要特点包括：
双向导电性：
能够在正向和反向电压下导通。
可控性：
通过控制极（G）的触发信号可以实现导通和关断。
低电压降：
在导通状态下，其电压降较低。
响应快：
从关断状态到完全导通状态的时间非常短。
无触点控制：
适用于交流电路的无触点开关应用，如电器调速、调光、调压、调温以及各种电器过载自动保护等。
双向可控硅的符号与普通可控硅相似，但两个主电极（T1和T2）不再分别称为阳极和阴极，而是统称为主电极。其工作原理基于PN结的特性，并通过特定的触发机制实现对电路的控制。
在实际应用中，双向可控硅常被用于需要快速响应和大功率控制的场合，如交流电动机控制、灯光调节、温度控制系统等。由于其结构紧凑、可靠性高、控制简单等优点，双向可控硅在现代电子技术中占有重要地位。